igbt fs7 文章最新資訊

IGBT的電流是如何定義的

IGBT的電流是器件基本參數(shù)之一，顯而易見(jiàn)FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模塊。這樣的理解對(duì)于日常工作交流來(lái)說(shuō)是足夠了，但對(duì)于一位設(shè)計(jì)工程師是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的，而且業(yè)內(nèi)充滿(mǎn)著誤解和流言。流言一：450A IGBT模塊最大輸出電流能力是450A，系統(tǒng)設(shè)計(jì)中需要留足夠的余量450A是FS450R12KE4的標(biāo)稱(chēng)電流。那么什么是標(biāo)稱(chēng)電流？為了搞清楚這一問(wèn)題最好的辦法是尋根問(wèn)祖，從英飛凌芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)發(fā)掘線(xiàn)索。找到FS450R12KE4內(nèi)部IGBT芯片IGC142T120T8RM的數(shù)據(jù)手冊(cè)，奇怪
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IGBT模塊工作環(huán)境溫濕度條件解析

在散熱器上安裝的IGBT 模塊并非密封設(shè)計(jì)，盡管芯片上方有一層硅膠，但是水汽仍然可以通過(guò)外殼間隙以及硅膠進(jìn)入器件芯片內(nèi)部。因此，器件在使用和存儲(chǔ)過(guò)程中，必須避免濕氣或者腐蝕性氣體。目前大多數(shù)IGBT 模塊允許工作的溫濕度以及氣候條件遵循IEC60721-3-3規(guī)定,為使客戶(hù)更加了解IGBT 的使用環(huán)境條件，本文主要介紹溫度以及濕度運(yùn)行條件。IEC 60721-3-3標(biāo)準(zhǔn)把氣候條件分成5類(lèi):3K20:溫度濕度連續(xù)可控，而且經(jīng)常有人維護(hù)，比如用于室內(nèi)產(chǎn)品。3K21:溫度可控，濕度不連續(xù)可控。比如機(jī)房，數(shù)據(jù)中
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用于 gen-7 IGBT模塊的硅凝膠

陶氏公司的目標(biāo)是使用其最新的硅凝膠來(lái)開(kāi)發(fā) IGBT 模塊，以支持 800V 車(chē)輛和可再生能源高達(dá) 180°C 的運(yùn)行溫度。“在光伏電池板和風(fēng)力渦輪機(jī)中，逆變器的功率密度正在增加，”該公司表示。“由于第 7 代 IGBT 技術(shù)的結(jié)溫更高，電壓更高，電氣負(fù)載更大，硅凝膠需要具有強(qiáng)大的介電性能和增強(qiáng)的耐熱性。”EG-4175 是一種材料，在使用前由等量的兩種粘度匹配的前體混合。它無(wú)需單獨(dú)的底漆即可自吸以實(shí)現(xiàn)粘合，并在室溫下固化——盡管可以使用熱量來(lái)加速固化。陶氏聲稱(chēng)，在使用中，“該材料可以吸收振動(dòng)并具有自愈特性
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雙芯智控革命：IGBT與單片機(jī)如何重塑智能微波爐

當(dāng)傳統(tǒng)微波爐還在依賴(lài)笨重的工頻變壓器時(shí)，TRinno的IGBT單管與現(xiàn)代ABOV單片機(jī)的協(xié)同創(chuàng)新，正推動(dòng)廚房電器進(jìn)入精準(zhǔn)控能時(shí)代。這套雙核驅(qū)動(dòng)方案通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)替代機(jī)械結(jié)構(gòu)，不僅讓微波爐體積縮小40%，更實(shí)現(xiàn)了從毫秒級(jí)功率調(diào)節(jié)到智能烹飪程序躍遷，徹底重構(gòu)了家用加熱設(shè)備的技術(shù)底層。一、能量轉(zhuǎn)換革命：磁控管驅(qū)動(dòng)的進(jìn)化之路傳統(tǒng)方案的物理瓶頸過(guò)去四十年的微波爐依賴(lài)電磁感應(yīng)原理——220V交流電通過(guò)重量超過(guò)3公斤的工頻變壓器升壓，再經(jīng)整流二極管轉(zhuǎn)換為3000V直流電驅(qū)動(dòng)磁控管。這套體系存在三重技術(shù)枷鎖：能效黑洞：鐵
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從IGBT到GaN：10kW串式逆變器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵要點(diǎn)與性能優(yōu)勢(shì)解析

隨著全球?qū)δ茉纯沙掷m(xù)性與安全性的關(guān)注升溫，住宅太陽(yáng)能儲(chǔ)能系統(tǒng)需求持續(xù)攀升。當(dāng)前市場(chǎng)上，2kW級(jí)微型逆變器已實(shí)現(xiàn)集成儲(chǔ)能功能，而更高功率場(chǎng)景則需依賴(lài)串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設(shè)計(jì)，探討其技術(shù)優(yōu)勢(shì)與核心設(shè)計(jì)要點(diǎn)，為住宅太陽(yáng)能應(yīng)用提供高能效、高密度的解決方案參考。混合串式逆變器架構(gòu)：從模塊到系統(tǒng)典型的混合串式逆變器通過(guò)穩(wěn)壓直流母線(xiàn)互聯(lián)各功能模塊（圖1），核心子系統(tǒng)包括：●單向DC/DC轉(zhuǎn)換器：執(zhí)行光伏最大功率點(diǎn)跟蹤（MPPT），優(yōu)化能量捕獲；●雙向DC/
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固態(tài)隔離器如何與MOSFET或IGBT結(jié)合以?xún)?yōu)化SSR？

固態(tài)繼電器（SSR）是各種控制和電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的關(guān)鍵組件，涵蓋白色家電、供暖、通風(fēng)和空調(diào) （HVAC）設(shè)備、工業(yè)過(guò)程控制、航空航天和醫(yī)療系統(tǒng)。固態(tài)隔離器利用無(wú)芯變壓器技術(shù)在 SSR 的高壓側(cè)和低壓側(cè)之間提供隔離。基于 CT 的固態(tài)隔離器（SSI）包括發(fā)射器、模塊化部分和接收器或解調(diào)器部分。每個(gè)部分包含一個(gè)線(xiàn)圈，兩個(gè)線(xiàn)圈由二氧化硅（SiO2）介電隔離柵隔開(kāi)（圖 1）。磁耦合用于在兩個(gè)線(xiàn)圈之間傳輸信號(hào)。該技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理兼容，可用于分立隔離器或集成柵極驅(qū)動(dòng)器IC。圖 1.分立 SSI 中使
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英飛凌推出用于電動(dòng)汽車(chē)的新一代高功率節(jié)能型IGBT和RC-IGBT芯片

隨著純電動(dòng)汽車(chē)（BEV）和插電式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(chē)（PHEV）銷(xiāo)量的快速增長(zhǎng)，電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的發(fā)展在不斷加速。預(yù)計(jì)到?2030?年，電動(dòng)汽車(chē)的生產(chǎn)比例將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)，從2024年的20%增長(zhǎng)至45%左右[1]。為滿(mǎn)足對(duì)高壓汽車(chē)IGBT芯片日益增長(zhǎng)的需求，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出新一代產(chǎn)品，包括為400 V和800 V系統(tǒng)設(shè)計(jì)的?EDT3（第三代電力傳動(dòng)系統(tǒng)）芯片，以及為?800 V?系統(tǒng)量身定制的RC-IGBT&nbs
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R課堂 | IGBT IPM的熱關(guān)斷保護(hù)功能（TSD）

關(guān)鍵要點(diǎn)BM6337xS系列配備了可監(jiān)控LVIC（Low Side Gate Driver）溫度的熱關(guān)斷電路，當(dāng)LVIC的 T j 達(dá)到規(guī)定溫度以上時(shí)，熱關(guān)斷電路將啟動(dòng)，會(huì)關(guān)斷下橋臂各相的IGBT，并輸出FO信號(hào)。在TSD已啟動(dòng)的情況下，由于IGBT的 T j 已超過(guò)150°C的絕對(duì)最大額定值，因此需要更換IPM。該功能監(jiān)控的 T j 為L(zhǎng)VIC芯片的 T j ，無(wú)法跟上IG
關(guān)鍵字：羅姆半導(dǎo)體 IGBT IPM 熱關(guān)斷保護(hù)

英飛凌ICE3PCS01G搭配IGBT高效率2.5KW空調(diào)電源方案

這是一個(gè)用于測(cè)試 2.5 kW 功率因數(shù)校正 (PFC) 電路的平臺(tái)。它旨在評(píng)估使用 4 腳封裝的優(yōu)勢(shì)。例如提高效率和信號(hào)質(zhì)量，并展示了包括 PFC 控制器、MOSFET 驅(qū)動(dòng)器和碳化硅二極管在內(nèi)的完整 Infineon 解決方案。文件中提供了關(guān)于如何使用該評(píng)估板、CoolMOS? C7 MOSFET 的性能表現(xiàn)以及四腳封裝的優(yōu)勢(shì)的信息，目標(biāo)讀者是經(jīng)驗(yàn)豐富的電源電子工程師和技術(shù)人員。 ? 評(píng)估板的目的與組成 ? 此評(píng)估板旨在評(píng)估TO-247 4針 CoolMOS
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能效升級(jí)新引擎！拆解IGBT的三大技術(shù)優(yōu)勢(shì)

在消費(fèi)電子市場(chǎng)高速發(fā)展的當(dāng)下，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）已成為現(xiàn)代家電設(shè)備中不可或缺的核心器件。憑借其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性、低導(dǎo)通損耗及出色的熱管理能力，IGBT技術(shù)正持續(xù)推動(dòng)家電產(chǎn)品能效升級(jí)。安世半導(dǎo)體推出的650 V G3 IGBT平臺(tái)產(chǎn)品，通過(guò)性能優(yōu)化與可靠性提升，為家電設(shè)備的高效化、節(jié)能化發(fā)展提供了關(guān)鍵解決方案。本文將聚焦家電設(shè)備的三大核心應(yīng)用場(chǎng)景——電機(jī)拖動(dòng)、PFC（功率因數(shù)校正）電路及感應(yīng)加熱，深入解析安世半導(dǎo)體650 V G3 IGBT平臺(tái)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其在家電領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。1. 電機(jī)拖動(dòng)1
關(guān)鍵字：安世半導(dǎo)體 IGBT

詳解IGBT工作原理

大家好，我是蝸牛兄，今天給大家分享的是：IGBT（絕緣柵雙極型晶體管)在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見(jiàn)的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。IGBT實(shí)物圖+電路符號(hào)圖你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合體，IGBT具有 BJT 的輸入特性和 MOS 管的輸出特性。與 BJT 或 MOS管相比，絕緣柵雙極型晶體管 IGBT 的優(yōu)勢(shì)在于它提供了比標(biāo)準(zhǔn)雙極型晶體管更大的功率增益，以及更高的工作電壓和更低的 MOS 管輸入損耗。一、什么是IGBT？IGBT 是絕緣柵雙
關(guān)鍵字： IGBT 功率半導(dǎo)體

IGBT 7 EconoDUAL? 3系列拓展帶焊接針產(chǎn)品

英飛凌在此發(fā)布TRENCHSTOP? IGBT7 EconoDUAL? 3系列產(chǎn)品拓展，帶焊接針和帶預(yù)涂導(dǎo)熱材料版本(TIM)。產(chǎn)品型號(hào)：■ FF900R12ME7■ FF600R12ME7■ FF450R12ME7■ FF900R12ME7W■ FF750R17ME7DP_B11產(chǎn)品特點(diǎn)■ TRENCHSTOP? IGBT7■ 最高功率密度■ Tvj op=175°C過(guò)載■ 集成NTC溫度傳感器■ 絕緣基板應(yīng)用價(jià)值■ 相同尺寸下輸出電流更大■ 避免并聯(lián)I
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R課堂 | IGBT IPM的錯(cuò)誤輸出功能（FO）

關(guān)鍵要點(diǎn)?FO引腳為錯(cuò)誤輸出功能引腳，用于向外部通知內(nèi)置保護(hù)功能的啟動(dòng)情況，并會(huì)為自我保護(hù)而關(guān)斷下橋臂各相的IGBT。?FO輸出功能的信號(hào)輸出時(shí)間因已啟動(dòng)的保護(hù)功能類(lèi)型而異，因此可以判別已啟動(dòng)了哪種保護(hù)功能。這是本機(jī)型產(chǎn)品所具備的功能。?FO引腳的輸入功能，通過(guò)在FO引腳上連接RC并調(diào)整時(shí)間常數(shù)，可以擴(kuò)展下橋臂各相IGBT的關(guān)斷時(shí)間。?當(dāng)FO輸出經(jīng)由隔離器件輸入至MCU時(shí)，在輸出時(shí)間隔離器件的傳輸延遲時(shí)間比FO輸出的L電平最短時(shí)間要長(zhǎng)時(shí)，需要根據(jù)延遲情況來(lái)擴(kuò)展FO輸出時(shí)間時(shí)，可使用該功能。本文將介紹“保護(hù)
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絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）

IGBT是一種功率開(kāi)關(guān)晶體管，結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，用于電源和電機(jī)控制電路。絕緣柵雙極型晶體管（簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT）是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的交叉產(chǎn)物，使其成為理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。IGBT晶體管結(jié)合了這兩種常見(jiàn)晶體管的最佳部分，即MOSFET的高輸入阻抗和高開(kāi)關(guān)速度以及雙極晶體管的低飽和電壓，并將它們結(jié)合在一起，產(chǎn)生另一種類(lèi)型的晶體管開(kāi)關(guān)器件，能夠處理大的集電極-發(fā)射極電流，而幾乎不需要門(mén)極電流驅(qū)動(dòng)。典型絕緣柵雙極型晶體管?典型IGBT絕緣柵雙極型晶體
關(guān)鍵字：絕緣柵雙極型晶體管，IGBT

英飛凌IGBT7系列芯片大解析

上回書(shū)(英飛凌芯片簡(jiǎn)史 http://cqxgywz.com/article/202502/467026.htm)說(shuō)到，IGBT自面世以來(lái)，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線(xiàn)的IGBT5等。現(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門(mén)”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通壓降和優(yōu)
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